型號：VS-3C06ET07T-M3 VS-3C08ET07T-M3 VS-3C10ET07T-M3 VS-3C12ET07T-M3 VS-3C16ET07T-M3

VS-3C20ET07T-M3 VS-3C04ETOTT-M3 VS-3C08ETOTT-M3 VS-3C12ETOTT-M3 VS-3C1OETOTT-M3 VS-3C16ETOTT-M3

VS-3C20ETOTT-M3 VS-3C06ETOTT-M3 VS-3C16CP07L-M3 VS-3C20CP07L-M3 VS-3C40CP07L-M3

第 3 代 650 V 碳化硅肖特基二極管采用合并 PIN 肖特基 (MPS) 設計。它們將高浪涌電流穩健性與低正向壓降、電容電荷和反向漏電流相結合，以提高開關電源設計的效率和可靠性。這些器件的 MPS 結構具有通過激光退火技術減薄的背面，與上一代解決方案相比，它們的正向壓降降低了 0.3 V。此外，它們的正向壓降與電容電荷的乘積降低了 17%。二極管的反向漏電流在室溫下通常比最接近的競爭解決方案低 30%，在高溫下低 70%。這減少了傳導損耗，以確保輕負載和空轉期間的高系統效率。第三代器件幾乎沒有反向恢復時間，進一步提高了效率。與擊穿電壓相當的硅二極管相比，SiC 器件具有更高的熱導率、更低的反向電流和更短的反向恢復時間。它們采用 TO-22OAC 2L 和 TO-247AD 3L 通孔和 D2PAK 2L (TO-263AB 2L) 表面貼裝封裝。

特性 可提供 4 A 至 40 A 的正向電流 通過薄晶圓技術提高 VF 和效率 提升了能效： 低正向電壓降：低至 1.46 V 低電容電荷：低至 12 nC 低反向漏電流：低至 1.3 μA 最高工作溫度：高達 +175°C 提升了可靠性： 通過 2,000 小時的高溫反向偏壓 (HTRB) 測試 具有正溫度系數，易于并聯 MPS 結構具有高穩健性以應對正向電流浪涌事件 提供 TO-22OAC 2L 和 TO-247AD 3L 通孔和 D2PAK 2L (TO-263AB 2L) 表面貼裝封裝 應用 AC/DC PFC和 DC/DC 超高頻輸出整流 FBPS 和 LLC 轉換器 所有受硅超快恢復行為影響的應用