1.5 代碳化硅 (SiC) 肖特基勢壘二極管 (SBD) 專為電氣工程師設計熱耗散更低、性能更高的系統而開發。快速恢復二極管 (FRD) 在關斷操作時有一些反向恢復電流，當主開關打開時會產生額外的開關損耗。相比之下，肖特基勢壘二極管沒有反向恢復電流，因此可以在更高的開關頻率下使用，但由于更高的泄漏，它具有較低的擊穿電壓的缺點。碳化硅 (SiC) 器件比硅器件具有更高的帶隙，這意味著泄漏電流非常低。SiC 器件還具有更高的電子速度，因此開關性能優于硅器件。

PANJIT 的 1.5 代碳化硅肖特基勢壘二極管經過優化，對正向電壓 (VF) 具有較低的溫度依賴性，因此可以在更高的溫度操作中抑制傳導損耗。通過在金屬接觸區域添加 P+ 層，它具有結勢壘肖特基 (JBS) 結構。因此，浪涌電流容量可以顯著提高，這有助于確保冷啟動系統運行的系統級可靠性。PANJIT 的 1.5 代碳化硅肖特基勢壘二極管系列具有 650 V 和 1,200 V 的擊穿電壓、電流額定值為 4 A 至 40 A，提供多種分立封裝，例如 TO- 220AC、TO-252AA 和 TO-247AD-3LD。

特性 零反向恢復損耗 無溫度依賴性的開關操作 增強浪涌電流能力 高結溫：+175°C 低傳導損耗 應用 服務器電源 電信電源 PC 電源 光伏逆變器 儲能系統/電池管理系統 電動汽車充電樁 UPS 工業電機 家電 數字電視