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GAN080-650EBEZ

發布時間:2023/6/25 16:35:00 訪問次數:55

製造商: Nexperia
產品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術: GaN
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: DFN8080-8
晶體管極性: N-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 650 V
Id - C連續漏極電流: 29 A
Rds On - 漏-源電阻: 80 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: 7 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 2.5 V
Qg - 閘極充電: 6.2 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 188 W
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
品牌: Nexperia
配置: Single
下降時間: 4 ns
濕度敏感: Yes
產品類型: MOSFET
上升時間: 4 ns
原廠包裝數量: 2500
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 5 ns
標準開啟延遲時間: 3 ns
零件號別名: 934665901332

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