制造商:
Infineon
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
Through Hole
封裝 / 箱體:
TO-247-3
晶體管極性:
N-Channel
通道數量:
1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
650 V
Id-連續漏極電流:
68.5 A
Rds On-漏源導通電阻:
37 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
- 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:
3.5 V
Qg-柵極電荷:
300 nC
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
500 W
IPW65R041CFD
發布時間:2023/6/27 10:08:00 訪問次數:53