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 IPW65R041CFD

發布時間:2023/6/27 10:08:00 訪問次數:53

制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-247-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V
Id-連續漏極電流: 68.5 A
Rds On-漏源導通電阻: 37 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3.5 V
Qg-柵極電荷: 300 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 500 W

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