SI7850ADP-T1-GE3

製造商: Vishay
產品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: PowerPAK-SO-8
晶體管極性: N-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 60 V
Id - C連續漏極電流: 12 A
Rds On - 漏-源電阻: 19.5 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 2.8 V
Qg - 閘極充電: 11.1 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 35.7 W
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
品牌: Vishay / Siliconix
配置: Single
下降時間: 10 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 21 ns
原廠包裝數量: 3000
子類別: MOSFETs
標準斷開延遲時間: 10 ns
標準開啟延遲時間: 7 ns
每件重量: 506.600 mg