諧振反激式控制器在封裝中集成了高壓側 650 V/4 A 1.2 Ω MOSFET。與傳統反激系統中使用的無源緩沖器電路（有損緩沖器）不同，該反激式控制器利用有源緩沖器電路（無損緩沖器）來更有效地利用反激系統中的額外能量（漏感和雜散分量）（能量回收）。

受益于獨特的控制策略，兩個系統功率開關（高壓側 MOSFET 和低壓側 MOSFET）幾乎總是零電壓開關 (ZVS)。因此，可以最小化功率開關的開關損耗并且可以優化效率。而且，利用 SJMOS 功率器件和傳統反激式系統的通用材料，可以輕松實現高效率、高功率密度的反激式電源系統。該諧振反激式控制器還可與氮化鎵或碳化硅結合使用，以滿足更高頻率的電源系統設計要求。

特性 集成高壓側 MOSFET 適用于低壓側和高壓側開關的 ZVS 最佳效率和功率密度 30 W 至 150 W 以下的電源應用 適用于氮化鎵或碳化硅應用 超低空載功耗：<30 mW 應用 USB-C PD 充電器 電源適配器 輔助電源