bychip可替代_2SJ245S導讀
而P溝道常見的為低壓mos管。市面上常有的一般為N溝道和P溝道，詳情參考右側圖片(P溝道耗盡型MOS管)。
按材料分類，可以分為分為耗盡型和增強型：增強型管：柵極-源極電壓 Vgs 為零時漏極電流也為零； 耗盡型管：柵極-源極電壓 Vgs 為零時漏極電流不為零。MOS管分類按溝道分類，場效應管分為PMOS管（P溝道型）和NMOS（N溝道型）管。
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VGS(最大柵源電壓) 柵極能夠承受的最大電壓，柵極是MOS管最薄弱的地方，設計的時候得注意一下，加載柵極的電壓不能超過這個最大電壓。
對于N溝道增強型的MOS管，當Vgs >Vgs(th)時，MOS就會開始導通，如果在 D 極和 S 極之間加上一定的電壓,就會有電流Id產生。 。
MOS管導通條件：|Vgs| > |Vgs(th)|。MOS管的導通條件 MOS管的開關條件： N溝道：導通時 Vg> Vs,Vgs> Vgs(th)時導通； P溝道：導通時 Vg< Vs,Vgs< Vgs(th)時導通。
所以現在芯片內部集成的幾乎都是MOS管。 3、開關速度快，開關損耗低，特別適應PWM輸出模式。MOS管特點 1、輸入阻抗非常高，因為MOS管柵極有絕緣膜氧化物，甚至可達上億歐姆，所以他的輸入幾乎不取電流，可以用作電子開關。 4、在電路設計上的靈活性大，柵偏壓可正可負可零，三極管只能在正向偏置下工作，電子管只能在負偏壓下工作； 4、低功耗、性能穩定、抗輻射能力強，制造成本低廉與使用面積較小、高整合度。 6、MOS管柵極很容易被靜電擊穿，柵極輸入阻抗大，感應電荷很難釋放，高壓很容易擊穿絕緣層，造成損壞。 2、導通電阻低，可以做到幾個毫歐的電阻，極低的傳導損耗，。 5、極強的大電流處理能力，可以方便地用作恒流源。
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AO3414
APM2054NUC-TRL、APM2301CAC-TRL、APM2305AC、APM2701AC、APM2701ACC-TRG、APM3048ADU4、APM3095PUC-TRL、APM4015PUC-TRL、APM4435KC-TRL、APM4826KC-TRG。
金屬柵極被置于氧化物層之上，而這層氧化物又被放置在半導體材料的表面上。
FDS4435-NL 、2SJ168、2SJ245S、2SJ327-Z-E1-AZ、2SJ355、2SJ356、2SJ668、2SK1273、2SK1470 。
MOS管是一種場效應管，其主要作用是在電路中實現信號放大、開關控制等功能。MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是一種常用的半導體器件，廣泛應用于各種電子設備中。
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MOS電容的特性能被用來形成MOS管。其中一個稱為source，另一個稱為drain。Gate，電介質和backgate保持原樣。在GATE的兩邊是兩個額外的選擇性摻雜的區域。
因此Source和drain的身份就靠器件的偏置來決定了。定義上，載流子流出source，流入drain。在對稱的MOS管中，對source和drain的標注有一點任意性。
文章來源：www.bychip.cn
