bychip可替代_2SJ356導讀

因此PMOS管的閾值電壓是負值。如果GATE相對于BACKGATE反向偏置，空穴被吸引到表面，channel形成了。

為了理解 MOS管的基本原理，首先要知道更基礎的 N 型半導體 和 P 型半導體。MOS管原理本文MOS管的原理說明以 增強型NMOS 為例。了解MOS管的工作原理，能夠讓我們能更好的運用MOS管，而不是死記怎么用。

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此參數一般會隨結溫度的上升而有所降低。VGS(th)(開啟電壓) 當外加柵極控制電壓 VGS 超過 VGS(th) 時，漏區和源區的表面反型層形成了連接的溝道。應用中，常將漏極短接條件下 ID 等于 1 毫安時的柵極電壓稱為開啟電壓。

注：MOS管輸出特性的恒流區（飽和區），相當于三極管的放大區。VGS≥VGS(th)，且VDS>VGS-VGS(th)，MOS管進入恒流區：恒流區在輸出特性曲線中間的位置，電流ID基本不隨VDS變化，ID的大小主要決定于電壓VGS，所以叫做恒流區，也叫飽和區，當MOS用來做放大電路時就是工作在恒流區（飽和區）。

所以導致現在的格局：NMOS價格便宜，廠商多，型號多。PMOS價格貴，廠商少，型號少。我們通過原理分析可以得知，NMOS 是電子的移動，PMOS那就是空穴的移動，空穴的遷移率比電子低，尺寸與電壓相等的條件下，PMOS的跨導小于 NMOS，形成空穴溝道比電子溝道更難。 PMOS的導通電阻大，發熱大，相對NMOS來說不易通過大電流。 PMOS的閾值電壓教NMOS高，因此需要更高的驅動電壓，充放電時間長，開關速度更低。（相對而言，其實MOS管發展到現在，普通的應用 PMOS 和 NMOS 都有大量可方便選擇的型號）。

MOS管全名為：金屬 (Metal)—氧化物 (Oxide)—半導體 (Semiconductor)場效應晶體管。

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CSD17579Q3A、DMC2038LVT-7-F、DMG1012T、DMN3024LSD-13、DMP3020LSS-13、DMP3099L-7、DTU40P06、FDC5661N、FDC6306P、FDG6321C。

AM4902N-T1-PF、AO3402、AO3402、AO3414、AO3415、AO3416、AO3419、AO3421E、AO3460、AO4286 。

AP2310GN、AP2310N、AP2625GY、AP4407GM、AP4575GM、AP6906GH-HF、AP85U03GH-HF、AP9575AGH、AP9575GM、APM1403ASC-TRL。

FDS4435-NL 、2SJ168、2SJ245S、2SJ327-Z-E1-AZ、2SJ355、2SJ356、2SJ668、2SK1273、2SK1470 。

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由電子組成的電流從source通過channel流到drain。這個channel就像一薄層短接drain和source的N型硅。總的來說，只有在gate 對source電壓V 超過閾值電壓Vt時，才會有drain電流。

FET的增益等于它的跨導， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。?場效應管(FET)，把輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化。

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