bychip可替代_2SJ668導讀

這個器件有兩個電極，一個是金屬，另一個是extrinsic silicon(外在硅)，他們之間由一薄層二氧化硅分隔開。首先考察一個更簡單的器件--MOS電容--能更好的理解MOS管。

什么是場效應管？場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。由于它僅靠半導體中的多數載流子導電，又稱單極型晶體管。它是利用控制輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種半導體器件。

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bychip可替代

P型襯底在 MOS管內部是和 源級（S）相連。

MOS管全名為：金屬 (Metal)—氧化物 (Oxide)—半導體 (Semiconductor)場效應晶體管。

MOS管導通條件：|Vgs| > |Vgs(th)|。MOS管的導通條件 MOS管的開關條件： N溝道：導通時 Vg> Vs,Vgs> Vgs(th)時導通； P溝道：導通時 Vg< Vs,Vgs< Vgs(th)時導通。

VGS>VGS(th) ，且VDS < VGS - VGS(th),MOS管進入可變電阻區： 可變電阻區在輸出特性的最左邊，Id隨著Vds的增加而上升，兩者基本上是線性關系，所以可以看作是一個線性電阻，當VGS不同電阻的阻值就會不同，所以在該區MOS管相當就是一個由VGS控制的可變電阻。

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AP9575AGH

RDS(on)(漏源電阻) 導通時漏源間的最大阻抗，它決定了MOSFET導通時的消耗功率。 MOS管 導通后都有導通電阻存在，這樣電流就會在這個電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導通損耗。這個值要盡可能的小，因為一旦阻值偏大，就會使得功耗變大。現在的小功率MOS管導通電阻一般在幾十毫歐左右，幾毫歐的也有。選擇導通電阻小的MOS管會減小導通損耗。

AOD425A、AOD442、AOD482、AOD484、AOD484、AP2301N、AP2303GN、AP2306GN、AP2307GN、AP2309GN。

AM4902N-T1-PF、AO3402、AO3402、AO3414、AO3415、AO3416、AO3419、AO3421E、AO3460、AO4286 。

AP2310GN、AP2310N、AP2625GY、AP4407GM、AP4575GM、AP6906GH-HF、AP85U03GH-HF、AP9575AGH、AP9575GM、APM1403ASC-TRL。

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只要GATE對BACKGATE的電壓仍舊小于閾值電壓，就不會形成channel。假設source 和backgate都接地，drain接正電壓。

硅的表面就積累，沒有channel形成。如果這個晶體管的GATE相對于BACKGATE正向偏置，電子就被吸引到表面，空穴就被排斥出表面。

文章來源：www.bychip.cn