bychip可替代_2SK2415-Z-E1-AZ導讀

在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。這樣的器件被認為是對稱的。

他們之間的絕緣氧化層稱為gate dielectric(柵介質)。圖示中的器件有一個輕摻雜P型硅做成的backgate。金屬極就是GATE，而半導體端就是backgate或者body。

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bychip可替代

MOS管全名為：金屬 (Metal)—氧化物 (Oxide)—半導體 (Semiconductor)場效應晶體管。

電流ID為0，管子不工作。夾斷區在輸出特性最下面靠近橫坐標的部分，表示MOS管不能導電，處在截止狀態。

P型襯底在 MOS管內部是和 源級（S）相連。

對于N溝道增強型的MOS管，當Vgs >Vgs(th)時，MOS就會開始導通，如果在 D 極和 S 極之間加上一定的電壓,就會有電流Id產生。 。

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AP9575AGH

AM4902N-T1-PF、AO3402、AO3402、AO3414、AO3415、AO3416、AO3419、AO3421E、AO3460、AO4286 。

CSD17579Q3A、DMC2038LVT-7-F、DMG1012T、DMN3024LSD-13、DMP3020LSS-13、DMP3099L-7、DTU40P06、FDC5661N、FDC6306P、FDG6321C。

AOD425A、AOD442、AOD482、AOD484、AOD484、AP2301N、AP2303GN、AP2306GN、AP2307GN、AP2309GN。

FDMC8878、FDN304PZ-NL、FDN340P-NL、FDS4559-NL、FDS4953-NL、FDS6875-NL、FDS8926A-NL、FDS8926A-NL、FDS9933-NL、FDS9936A-NL。

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Drain和backgate之間的PN結反向偏置，所以只有很小的電流從drain流向backgate。如果GATE電壓超過了閾值電壓，在GATE電介質下就出現了channel。

由電子組成的電流從source通過channel流到drain。這個channel就像一薄層短接drain和source的N型硅。總的來說，只有在gate 對source電壓V 超過閾值電壓Vt時，才會有drain電流。

文章來源：www.bychip.cn