bychip可替代AM30N10-70D-T1-PF導讀

因此PMOS管的閾值電壓是負值。如果GATE相對于BACKGATE反向偏置，空穴被吸引到表面，channel形成了。

mos管是金屬(metal)-氧化物(oxide)-半導體(semiconductor)場效應晶體管，或者稱是金屬-絕緣體(insulator)-半導體。

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bychip可替代

電流ID為0，管子不工作。夾斷區在輸出特性最下面靠近橫坐標的部分，表示MOS管不能導電，處在截止狀態。

VGS>VGS(th) ，且VDS < VGS - VGS(th),MOS管進入可變電阻區： 可變電阻區在輸出特性的最左邊，Id隨著Vds的增加而上升，兩者基本上是線性關系，所以可以看作是一個線性電阻，當VGS不同電阻的阻值就會不同，所以在該區MOS管相當就是一個由VGS控制的可變電阻。

MOS管全名為：金屬 (Metal)—氧化物 (Oxide)—半導體 (Semiconductor)場效應晶體管。

以P型半導體為襯底，在一個 低摻雜容度 的 P 型半導體上，通過擴散技術做出來2塊 高摻雜容度 的 N 型半導體，引出去分別作為 源級（S） 和 漏極（D）。

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2SK2415-Z-E1-AZ

場效應管的工作電流不應超過 ID 。一般實際應用作為開關用需要考慮到末端負載的功耗，判斷是否會超過 ID。ID(導通電流) 最大漏源電流。是指場效應管正常工作時，漏源間所允許通過的最大電流。

AO4616、AO4724、AO4828、AO6601、AO6800、AO6800、AO7800、AOD240、AOD240、AOD403。

AO4407、AO4407A、AO4409、AO4421、AO4430、AO4435、AO4485、AO4485、AO4606、AO4611。

APM2054NUC-TRL、APM2301CAC-TRL、APM2305AC、APM2701AC、APM2701ACC-TRG、APM3048ADU4、APM3095PUC-TRL、APM4015PUC-TRL、APM4435KC-TRL、APM4826KC-TRG。

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在對稱的MOS管中，對source和drain的標注有一點任意性。因此Source和drain的身份就靠器件的偏置來決定了。定義上，載流子流出source，流入drain。

因為MOS管更小更省電，所以他們已經在很多應用場合取代了雙極型晶體管。這種晶體管稱為金屬氧化物半導體(MOS)晶體管，或,金屬氧化物半導體場效應管(MOSFET)。

文章來源：www.bychip.cn