bychip可替代_AP2306GN導讀

MOS管原理本文MOS管的原理說明以 增強型NMOS 為例。為了理解 MOS管的基本原理，首先要知道更基礎的 N 型半導體 和 P 型半導體。了解MOS管的工作原理，能夠讓我們能更好的運用MOS管，而不是死記怎么用。

具有輸入電阻高、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點。場效應管屬于電壓控制型半導體器件。

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bychip可替代

P型襯底在 MOS管內部是和 源級（S）相連。

此參數一般會隨結溫度的上升而有所降低。應用中，常將漏極短接條件下 ID 等于 1 毫安時的柵極電壓稱為開啟電壓。VGS(th)(開啟電壓) 當外加柵極控制電壓 VGS 超過 VGS(th) 時，漏區和源區的表面反型層形成了連接的溝道。

3、開關速度快，開關損耗低，特別適應PWM輸出模式。 6、MOS管柵極很容易被靜電擊穿，柵極輸入阻抗大，感應電荷很難釋放，高壓很容易擊穿絕緣層，造成損壞。 4、在電路設計上的靈活性大，柵偏壓可正可負可零，三極管只能在正向偏置下工作，電子管只能在負偏壓下工作； 4、低功耗、性能穩定、抗輻射能力強，制造成本低廉與使用面積較小、高整合度。所以現在芯片內部集成的幾乎都是MOS管。 2、導通電阻低，可以做到幾個毫歐的電阻，極低的傳導損耗，。MOS管特點 1、輸入阻抗非常高，因為MOS管柵極有絕緣膜氧化物，甚至可達上億歐姆，所以他的輸入幾乎不取電流，可以用作電子開關。 5、極強的大電流處理能力，可以方便地用作恒流源。

以P型半導體為襯底，在一個 低摻雜容度 的 P 型半導體上，通過擴散技術做出來2塊 高摻雜容度 的 N 型半導體，引出去分別作為 源級（S） 和 漏極（D）。

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CES2312

CSD17579Q3A、DMC2038LVT-7-F、DMG1012T、DMN3024LSD-13、DMP3020LSS-13、DMP3099L-7、DTU40P06、FDC5661N、FDC6306P、FDG6321C。

APM2054NUC-TRL、APM2301CAC-TRL、APM2305AC、APM2701AC、APM2701ACC-TRG、APM3048ADU4、APM3095PUC-TRL、APM4015PUC-TRL、APM4435KC-TRL、APM4826KC-TRG。

AP2310GN、AP2310N、AP2625GY、AP4407GM、AP4575GM、AP6906GH-HF、AP85U03GH-HF、AP9575AGH、AP9575GM、APM1403ASC-TRL。

FDS4435-NL 、2SJ168、2SJ245S、2SJ327-Z-E1-AZ、2SJ355、2SJ356、2SJ668、2SK1273、2SK1470 。

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最普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體。

Gate，電介質和backgate保持原樣。MOS電容的特性能被用來形成MOS管。在GATE的兩邊是兩個額外的選擇性摻雜的區域。其中一個稱為source，另一個稱為drain。

文章來源： www.bychip.cn