SISF04DN-T1-GE3 放大圖片" /> 技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: PowerPAK-1212-8
晶體管極性: N-Channel
通道數: 2 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 30 V
Id - C連續漏極電流: 108 A
Rds On - 漏-源電阻: 4 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 12 V, + 16 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 2.3 V
Qg - 閘極充電: 40 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 69.4 W
通道模式: Enhancement
公司名稱: TrenchFET
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
品牌: Vishay Semiconductors
配置: Dual
下降時間: 6 ns
互導 - 最小值: 115 S
產品類型: MOSFET
上升時間: 21 ns