2N3904 放大圖片" /> 安裝風格: Through Hole
封裝/外殼: TO-92
晶體管極性: NPN
配置: Single
集電極-發射極最大電壓VCEO: 40 V
集電極-基極電壓VCBO: 60 V
發射機-基極電壓VEBO: 6 V
集電極-發射極飽和電壓: 300 mV
集電極最大直流電流: 200 mA
Pd - 功率消耗 : 625 mW
增益帶寬積 fT: 300 MHz
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
系列: 2N/2/3/4/5
封裝: Ammo Pack
品牌: Diotec Semiconductor
直流電最大增益hFE: 100
產品類型: BJTs - Bipolar Transistors