bychip可替代_FQPF30N06L導讀
場效應管主要有兩種類型： 1、結型場效應管（junction FET—JFET)（不是本文討論范圍）。 2、金屬 - 氧化物半導體場效應管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）（本文的主角）。
這樣的器件被認為是對稱的。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。
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P型襯底在 MOS管內部是和 源級（S）相連。
在P型襯底和兩個N型半導體 之間加一層 二氧化硅（SiO?）絕緣膜，然后通過多晶硅引出引腳組成柵極（G）。
VGS(最大柵源電壓) 柵極能夠承受的最大電壓，柵極是MOS管最薄弱的地方，設計的時候得注意一下，加載柵極的電壓不能超過這個最大電壓。
PMOS的導通電阻大，發熱大，相對NMOS來說不易通過大電流。我們通過原理分析可以得知，NMOS 是電子的移動，PMOS那就是空穴的移動，空穴的遷移率比電子低，尺寸與電壓相等的條件下，PMOS的跨導小于 NMOS，形成空穴溝道比電子溝道更難。PMOS價格貴，廠商少，型號少。（相對而言，其實MOS管發展到現在，普通的應用 PMOS 和 NMOS 都有大量可方便選擇的型號）。 PMOS的閾值電壓教NMOS高，因此需要更高的驅動電壓，充放電時間長，開關速度更低。所以導致現在的格局：NMOS價格便宜，廠商多，型號多。
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IRF7309TRPBF
FDMC8878、FDN304PZ-NL、FDN340P-NL、FDS4559-NL、FDS4953-NL、FDS6875-NL、FDS8926A-NL、FDS8926A-NL、FDS9933-NL、FDS9936A-NL。
AP2310GN、AP2310N、AP2625GY、AP4407GM、AP4575GM、AP6906GH-HF、AP85U03GH-HF、AP9575AGH、AP9575GM、APM1403ASC-TRL。
AM4902N-T1-PF、AO3402、AO3402、AO3414、AO3415、AO3416、AO3419、AO3421E、AO3460、AO4286 。
AOD425A、AOD442、AOD482、AOD484、AOD484、AP2301N、AP2303GN、AP2306GN、AP2307GN、AP2309GN。
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因此Source和drain的身份就靠器件的偏置來決定了。在對稱的MOS管中，對source和drain的標注有一點任意性。定義上，載流子流出source，流入drain。
由電子組成的電流從source通過channel流到drain。總的來說，只有在gate 對source電壓V 超過閾值電壓Vt時，才會有drain電流。這個channel就像一薄層短接drain和source的N型硅。
文章來源： www.bychip.cn
