bychip可替代FR3505導讀

由于NMOS管的閾值電壓是正的，PMOS的閾值電壓是負的，所以工程師們通常會去掉閾值電壓前面的符號。一個工程師可能說，"PMOS Vt從0.6V上升到0.7V"， 實際上PMOS的Vt是從-0.6V下降到-0.7V。

金屬極就是GATE，而半導體端就是backgate或者body。圖示中的器件有一個輕摻雜P型硅做成的backgate。他們之間的絕緣氧化層稱為gate dielectric(柵介質)。

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bychip可替代

MOS管全名為：金屬 (Metal)—氧化物 (Oxide)—半導體 (Semiconductor)場效應晶體管。

P型襯底在 MOS管內部是和 源級（S）相連。

在P型襯底和兩個N型半導體 之間加一層 二氧化硅（SiO?）絕緣膜，然后通過多晶硅引出引腳組成柵極（G）。

我們先來看一下MOS管的輸出特性曲線，MOS管的輸出特性可以分為三個區：夾斷區(截止區)、恒流區、可變電阻區。在一定的Vds下，D極電流 Id 的大小是與 G極電壓Vgs有關的。

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IRF9335TRPBF

AP2310GN、AP2310N、AP2625GY、AP4407GM、AP4575GM、AP6906GH-HF、AP85U03GH-HF、AP9575AGH、AP9575GM、APM1403ASC-TRL。

金屬柵極被置于氧化物層之上，而這層氧化物又被放置在半導體材料的表面上。

AM4902N-T1-PF、AO3402、AO3402、AO3414、AO3415、AO3416、AO3419、AO3421E、AO3460、AO4286 。

FDS4435-NL 、2SJ168、2SJ245S、2SJ327-Z-E1-AZ、2SJ355、2SJ356、2SJ668、2SK1273、2SK1470 。

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?場效應管(FET)，把輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的跨導， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。

如果GATE電壓超過了閾值電壓，在GATE電介質下就出現了channel。Drain和backgate之間的PN結反向偏置，所以只有很小的電流從drain流向backgate。

文章來源： www.bychip.cn