bychip可替代_IRF5805TRPBF導讀
mos管是金屬(metal)-氧化物(oxide)-半導體(semiconductor)場效應晶體管，或者稱是金屬-絕緣體(insulator)-半導體。
金屬極就是GATE，而半導體端就是backgate或者body。圖示中的器件有一個輕摻雜P型硅做成的backgate。他們之間的絕緣氧化層稱為gate dielectric(柵介質)。
IRF5805TRPBF" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/2021071011340566566.jpg" />
bychip可替代
在P型半導體中，空穴為多子，自由電子為少子，主要靠空穴導電。 摻入的雜質越多，多子（空穴）的濃度就越高。P型半導體又稱空穴型半導體，是以帶正電的空穴導電為主的半導體。
P型襯底在 MOS管內部是和 源級（S）相連。
以P型半導體為襯底，在一個 低摻雜容度 的 P 型半導體上，通過擴散技術做出來2塊 高摻雜容度 的 N 型半導體，引出去分別作為 源級（S） 和 漏極（D）。
PMOS的導通電阻大，發熱大，相對NMOS來說不易通過大電流。我們通過原理分析可以得知，NMOS 是電子的移動，PMOS那就是空穴的移動，空穴的遷移率比電子低，尺寸與電壓相等的條件下，PMOS的跨導小于 NMOS，形成空穴溝道比電子溝道更難。PMOS價格貴，廠商少，型號少。（相對而言，其實MOS管發展到現在，普通的應用 PMOS 和 NMOS 都有大量可方便選擇的型號）。 PMOS的閾值電壓教NMOS高，因此需要更高的驅動電壓，充放電時間長，開關速度更低。所以導致現在的格局：NMOS價格便宜，廠商多，型號多。
IRF5805TRPBF" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/2021071011340566566.jpg" />
IRLML6402TRPBF
CSD17579Q3A、DMC2038LVT-7-F、DMG1012T、DMN3024LSD-13、DMP3020LSS-13、DMP3099L-7、DTU40P06、FDC5661N、FDC6306P、FDG6321C。
AM4902N-T1-PF、AO3402、AO3402、AO3414、AO3415、AO3416、AO3419、AO3421E、AO3460、AO4286 。
FDMC8878、FDN304PZ-NL、FDN340P-NL、FDS4559-NL、FDS4953-NL、FDS6875-NL、FDS8926A-NL、FDS8926A-NL、FDS9933-NL、FDS9936A-NL。
現在的小功率MOS管導通電阻一般在幾十毫歐左右，幾毫歐的也有。 MOS管 導通后都有導通電阻存在，這樣電流就會在這個電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導通損耗。RDS(on)(漏源電阻) 導通時漏源間的最大阻抗，它決定了MOSFET導通時的消耗功率。這個值要盡可能的小，因為一旦阻值偏大，就會使得功耗變大。選擇導通電阻小的MOS管會減小導通損耗。
IRF5805TRPBF" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/20210710113473287328.jpg" />
MOS電容的特性能被用來形成MOS管。其中一個稱為source，另一個稱為drain。Gate，電介質和backgate保持原樣。在GATE的兩邊是兩個額外的選擇性摻雜的區域。
由電子組成的電流從source通過channel流到drain。總的來說，只有在gate 對source電壓V 超過閾值電壓Vt時，才會有drain電流。這個channel就像一薄層短接drain和source的N型硅。
文章來源：www.bychip.cn
