bychip可替代_IRF7314TRPBF導讀

一般是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。什么是MOS管？這種基本的名詞解釋還是得用官方的話語說明一下： MOS，是MOSFET的縮寫。MOSFET 金屬-氧化物半導體場效應晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。

所以通常提到NMOS和PMOS指的就是這兩種。 結合下圖與上面的內容也能解釋為什么實際應用以增強型為主，主要還是電壓為0的時候，D極和S極能否導通的問題。在實際應用中，以 增強型NMOS 和 增強型PMOS 為主。

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bychip可替代

以P型半導體為襯底，在一個 低摻雜容度 的 P 型半導體上，通過擴散技術做出來2塊 高摻雜容度 的 N 型半導體，引出去分別作為 源級（S） 和 漏極（D）。

MOS管全名為：金屬 (Metal)—氧化物 (Oxide)—半導體 (Semiconductor)場效應晶體管。

VGS>VGS(th) ，且VDS < VGS - VGS(th),MOS管進入可變電阻區： 可變電阻區在輸出特性的最左邊，Id隨著Vds的增加而上升，兩者基本上是線性關系，所以可以看作是一個線性電阻，當VGS不同電阻的阻值就會不同，所以在該區MOS管相當就是一個由VGS控制的可變電阻。

在P型半導體中，空穴為多子，自由電子為少子，主要靠空穴導電。 摻入的雜質越多，多子（空穴）的濃度就越高。P型半導體又稱空穴型半導體，是以帶正電的空穴導電為主的半導體。

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FQPF30N06L

APM2054NUC-TRL、APM2301CAC-TRL、APM2305AC、APM2701AC、APM2701ACC-TRG、APM3048ADU4、APM3095PUC-TRL、APM4015PUC-TRL、APM4435KC-TRL、APM4826KC-TRG。

現在的小功率MOS管導通電阻一般在幾十毫歐左右，幾毫歐的也有。 MOS管 導通后都有導通電阻存在，這樣電流就會在這個電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導通損耗。RDS(on)(漏源電阻) 導通時漏源間的最大阻抗，它決定了MOSFET導通時的消耗功率。這個值要盡可能的小，因為一旦阻值偏大，就會使得功耗變大。選擇導通電阻小的MOS管會減小導通損耗。

AO4616、AO4724、AO4828、AO6601、AO6800、AO6800、AO7800、AOD240、AOD240、AOD403。

AO4407、AO4407A、AO4409、AO4421、AO4430、AO4435、AO4485、AO4485、AO4606、AO4611。

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最普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體。

當電壓差超過閾值電壓時，channel就出現了。當GATE和BACKGATE之間的電壓差小于閾值電壓時，不會形成channel。

文章來源：www.bychip.cn