BUJ100LR,412 放大圖片" />
安裝風格:
Through Hole
封裝/外殼:
TO-92-3
晶體管極性:
NPN
配置:
Single
集電極-發射極最大電壓VCEO:
400 V
集電極-基極電壓VCBO:
700 V
發射機-基極電壓VEBO:
-
集電極-發射極飽和電壓:
240 mV
集電極最大直流電流:
1 A
Pd - 功率消耗 :
2 W
增益帶寬積 fT:
-
最低工作溫度:
-
最高工作溫度:
+ 150 C
品牌:
WeEn Semiconductors
直流集電極/增益 hfe 最小值:
9
直流電最大增益hFE:
31
高度:
5.2 mm
長度:
4.8 mm
產品類型:
BJTs - Bipolar Transistors
BUJ100LR,412
發布時間:2023/7/27 11:47:00 訪問次數:48
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