存儲器格式
DRAM
技術
HyperRAM
存儲容量
512Mb
存儲器組織
64M x 8
存儲器接口
HyperBus
時鐘頻率
200 MHz
寫周期時間 - 字,頁
35ns
訪問時間
35 ns
電壓 - 供電
1.7V ~ 2V
工作溫度
-40°C ~ 85°C(TC)
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
24-TBGA
供應商器件封裝
24-TFBGA,DDP(6x8)
基本產品編號
W959D8