超高壓 N 溝道功率 MOSFET 采用基于 20 年超級結技術經驗的終極 MDmesh K6 技術設計。其結果是單位面積和柵極電荷具有出色的導通電阻，適合需要卓越功率密度和高效率的應用。
特征 優異的 RDS(ON)× 面積 高功率密度 超低柵極電荷 100% 雪崩測試 齊納保護 應用領域 LED照明 適配器和充電器 輔助電源 測光
同公司其他新聞- 09-06STS4L-AD1B-R3溫度傳感器
- 09-06NXT4557GUX電壓轉換器
- 09-06RT8521-32-12M8扼流圈
- 09-06APLR1000J20R0SE電阻器
- 09-06超堅固電纜系統
- 09-06AL58221 RGB LED 驅動器
- 11-11744730 USBType-C開發套件 STUSB4500QTR
- 11-111253 拖拉機拖車的重型車輛4極或7極連接器 全球熱賣
- 11-11BND-SR-04 開口綁環 全新上市
- 11-11開關樣品套件 KIT05
- 11-11PSR030DL0050Z POWR-SPEED系列高速（半導體）刀片式保險絲
- 11-116000-0050-71 網狀墊片
