規格信息：
制造商:Microchip
產品種類:電可擦除可編程只讀存儲器
RoHS:是
安裝風格:SMD/SMT
封裝/箱體:SOIC-8
存儲容量:4kbit
組織:512x8
接口類型:Serial,2-Wire,I2C
數據保留:100Year
最大時鐘頻率:400kHz
電源電流—最大值:3mA
電源電壓-最小:1.8V
電源電壓-最大:5.5V
最小工作溫度:-40C
最大工作溫度:+85C
系列:AT24C04C
封裝:CutTape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
商標:MicrochipTechnology/Atmel
工作電源電壓:1.8Vto5.5V
產品類型:EEPROM
工廠包裝數量:4000
子類別:Memory&DataStorage
單位重量:540mg,全新原裝當天發貨或門市自取，量大價優，電子元器件BOM表一站式配單配套,穩定供應,因產品過多原因我們未對一.一產品進行參數描述，如需了解更多產品信息和價格歡迎咨詢和購買請聯系我們的工作人員.
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氮化鎵（GaN）作為第三代半導體材料，和傳統材料Si相比，具備禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、開關頻率高以及電子飽和速度快等優勢，發展潛力巨大。
氮化鎵迎來爆發式增長，應用場景逐漸由消費電子向更多新興市場拓展
為此，自上世紀90年代起，一些全球領先的科研機構就開始著手氮化鎵材料的研究，并致力于實現其產品的商業化。在2018年左右，氮化鎵被引入消費電子快充領域，“秒充”、“閃充”等技術相繼涌現，憑借大功率、小體積、充電快、散熱快等明顯優勢，氮化鎵產品迅速引爆市場。
目前，據不完全統計，市場上已有數十家主流電源廠家推出了數百款氮化鎵快充產品，其功率已從過去的30W向65W、100W、200W、300W+突破，并已經成為小米、OPPO、vivo、榮耀、聯想等各大知名品牌廠商的核心賣點之一。
羅姆半導體（上海）有限公司技術中心副總經理周勁表示：和SiC一樣，GaN是一種用于功率器件時存在巨大潛力的材料，在禁帶寬度、擊穿場強、電子飽和速度等方面擁有明顯的優勢，特別是在高頻率工作、高速開關的狀態下，GaN能夠做到比硅甚至碳化硅都有更好的表現，有望為消費電子快充、車載OBC、數據中心電源、分布式電源等各種電源的低功耗、小型化以及外圍器件的小型化做出貢獻。
