DI110N04PQ-AQ 符合 AECQ101 標準的 N 溝道功率 MOSFET 采用緊湊的 5 mm x 6 mm 功率 QFN 封裝。在標稱電流為 110 A 和 40 V 時，它具有低通態電阻 (RDS(ON))、快速開關時間和極低的熱阻。邏輯電平閾值電壓提供靈活的柵極驅動。它還與 μController 兼容，同時其極低的柵極電荷和輸出電荷降低了開關功率損耗并提高了整體效率。其工作結溫范圍為 -55°C 至 +175°C。DI110N04PQ-AQ 非常適合各種應用，包括 DC/DC 轉換器、同步整流器、電動工具、BLDC 驅動器等。

特征 薄型、節省空間的封裝 邏輯電平柵極驅動 雪崩評級 100% 雪崩測試 活動部件 最大限度。結溫 +175°C 規格 漏源電壓（VDSS）：40 V 連續漏極電流 (ID)：100 A RDS(ON)：最大 2.5 mΩ 漏源漏電流 (IDSS)：1 μA 連續柵源電壓（VGSS）：±20 V 功耗（P總）：55.5 W 峰值漏極電流 (IDM)：450 A 單脈沖雪崩能量（EAS）：123.5 mJ 熱阻（RthC）：<2.7 K/W 工作結溫范圍 (Tj)：-55°C 至 +175°C 5 mm x 6 mm 電源 QFN 封裝
應用領域 直流/直流轉換器 電源 直流驅動器 電動工具 同步整流器 電池充電器