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STW48N60M2

發布時間:2023/8/5 7:49:00 訪問次數:53 發布企業:深圳市晨豪科技有限公司

STW48N60M2
規格信息:
制造商:STMicroelectronics
產品種類:MOSFET
RoHS:是
技術:Si
安裝風格:ThroughHole
封裝/箱體:TO-247-3
通道數量:1Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:600V
Id-連續漏極電流:42A
RdsOn-漏源導通電阻:70mOhms
Vgsth-柵源極閾值電壓:2V
Vgs-柵極-源極電壓:25V
Qg-柵極電荷:70nC
最小工作溫度:-55C
最大工作溫度:+150C
Pd-功率耗散:300W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商標名:MDmesh
封裝:Tube
系列:STW48N60M2
商標:STMicroelectronics
下降時間:119ns
產品類型:MOSFET
上升時間:17ns
工廠包裝數量:600
子類別:MOSFETs
典型關閉延遲時間:13ns
典型接通延遲時間:18.5ns

單位重量:38g

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