規格信息：
制造商:Infineon
產品種類:IGBT晶體管
RoHS:是
技術:Si
封裝/箱體:TO-247-3
安裝風格:ThroughHole
配置:Single
集電極—發射極最大電壓VCEO:650V
集電極—射極飽和電壓:1.35V
柵極/發射極最大電壓:20V
在25C的連續集電極電流:79A
Pd-功率耗散:230W
最小工作溫度:-40C
最大工作溫度:+175C
系列:TRENCHSTOP5S5
封裝:Tube
高度:20.7mm
長度:15.87mm
工作溫度范圍:-40Cto+175C
寬度:5.31mm
商標:InfineonTechnologies
柵極—射極漏泄電流:100nA
產品類型:IGBTTransistors
工廠包裝數量:240
子類別:IGBTs
商標名:TRENCHSTOP
零件號別名:IKW40N65ES5XKSA1SP001319680
單位重量:38g,全新原裝當天發貨或門市自取，量大價優，電子元器件BOM表一站式配單配套,穩定供應,因產品過多原因我們未對一.一產品進行參數描述，如需了解更多產品信息和價格歡迎咨詢和購買請聯系我們的工作人員.
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LP2951CMX-3.3/NOPB
LP2985AIM5-1.5
概要
IU5530E是一款具有集成型高側MOSFET 的48 V 、3.5A降壓穩壓器。 能夠耐受的高拋負載脈沖50V。一個低紋波脈沖跳躍模式將無負載時的電源電流減小至180μA。當啟用引腳拉至低電平時，關斷電源電流減少至4μA。
欠壓閉鎖在內部設定為4.3V，但可用使能引腳將之提高。可在內部控制輸出電壓啟動斜坡 ，從而控制啟動過程并消除過沖。
寬開關頻率范圍可實現對效率或者外部組件尺寸的優化。頻率折返和熱關斷功能在過載情況下保護內部和外部組件不損壞。
IU5530E提供纖小的ESOP8封裝類型供客戶選擇， 其額定的工作溫度范圍為-40℃至85℃。
描述
4.5V至48V輸電壓范圍
具有內部斜坡補償的電流模式控制
與外部時鐘的同步能力
100KHz至2MHz的可調頻率
內部軟啟動
輕負載條件下使用脈沖跳躍實現的高效率
±2%反饋基準電
4μA關斷電源電流
180μA靜態工作電流
過溫和頻率折返保護
逐周期電流限制和熱關斷
可調欠壓閉鎖(UVLO)
