規格信息：
FET類型：P溝道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：60V
電流-連續漏極（Id）（25°C時）：15.5A（Ta）
驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id時的Vgs（th）（最大值）：2V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷（Qg）（最大值）：26nC@5V
Vgs（最大值）：±20V
不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值）：1190pF@25V
功率耗散（最大值）：65W（Tc）
不同Id，Vgs時的RdsOn（最大值）：150毫歐@7.5A，5V
工作溫度：-55°C~175°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
供應商器件封裝：DPAK
封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2引線+接片），SC-63
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs
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