HXY4012GD TO-252-4L
場效應管N+P溝道電壓40V電流30A
類型：1個N溝道和1個P溝道 漏源電壓(Vdss)：40V 連續漏極電流(Id)：30A 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：38mΩ@10V,7A；26mΩ@10V,10A
描述
HXY4012GD采用先進的溝槽技術，可提供出色的RDS（ON）、低柵極電荷和低至4.5V的柵極電壓操作。該設備適用于電池保護或其他開關應用。
一般功能
VDS=40V ID=20A
RDS（ON）<24mΩ@VGS=10V
VDS=-40V ID=-20A
RDS（ON）<38mΩ@VGS=-10V
應用
無線充電
升壓驅動器
無刷電機
SI2302-HXY
AO3400-HXY
SI2301-ZE
AO3401-ED
MC34063 HXY MOSFET(華軒陽電子)
XC6206P302MR HXY MOSFET(華軒陽電子)
AO3400-ED
SRV05-4-HXY
