數據列表 IRF6100PBF
設計資源 IRF6100 Saber Model
IRF6100 Spice Model
標準包裝 6,000
類別 分立半導體產品
家庭 FET - 單
系列 HEXFET®
包裝 帶卷 (TR)
FET 類型 MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能 邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss) 20V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時） 5.1A （Ta）
不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值） 65 毫歐 @ 5.1A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值） 1.2V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) 21nC @ 5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) 1230pF @ 15V
功率 - 最大值 2.2W
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 4-FlipFet™