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IPP60R600E6

發布時間:2023/8/29 12:14:00 訪問次數:72 發布企業:深圳和潤天下電子科技有限公司



產品屬性 屬性值 選擇屬性
制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V
Id-連續漏極電流: 7.3 A
Rds On-漏源導通電阻: 540 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3.5 V
Qg-柵極電荷: 20.5 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 63 W
通道模式: Enhancement
商標名: CoolMOS
系列: CoolMOS E6
封裝: Tube
商標: Infineon Technologies
配置: Single
高度: 15.65 mm
長度: 10 mm
產品類型: MOSFET
500
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 4.4 mm
零件號別名: IPP6R6E6XK SP000797630 IPP60R600E6XKSA1
單位重量: 2 g



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