IMZA65R048M1HXKSA1 放大圖片" /> 技術: SiC
安裝風格: Through Hole
封裝/外殼: TO-247-4
晶體管極性: N-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 650 V
Id - C連續漏極電流: 39 A
Rds On - 漏-源電阻: 64 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 5 V, + 23 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 5.7 V
Qg - 閘極充電: 33 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 125 W
通道模式: Enhancement
公司名稱: CoolSiC
系列: IMZA65R048
封裝: Tube
品牌: Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 13 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 12.6 ns
原廠包裝數量: 240
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 17 ns
標準開啟延遲時間: 14.8 ns
零件號別名: IMZA65R048M1H SP005398433