超高壓 N 溝道功率 MOSFET 采用基于創新專有垂直結構的 MDmesh K5 技術設計。其結果是導通電阻顯著降低，柵極電荷超低，適用于需要卓越功率密度和高效率的應用。
特性 通過 AEC-Q101 標準鑒定 業內最小的 RDS(on)x 面積之一 出色的 FoM（品質因數） 超低柵極電荷 100% 通過雪崩測試 應用 開關應用
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