IRF3205PBFInfineon英飛凌55V功率NMOS

IRF3205PBF55V單個N通道HEXFET Power MOSFET,采用TO-220AB封裝

型號：IRF3205PBF

廠商：Infineon/IR

封裝：TO220

包裝：1000PCS/盤

批次：新年份

類型：MOS

描述：55V單個N通道HEXFET Power MOSFET,采用TO-220AB封裝

絲印（打字）：IRF3205

備注：Infineon/IR原廠原裝

替代：

產品屬性 屬性值
制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 55 V
Id-連續漏極電流: 110 A
Rds On-漏源導通電阻: 8 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 97.3 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 150 W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
商標: Infineon Technologies
配置: Single
高度: 15.65 mm
長度: 10 mm
產品類型: MOSFET
工廠包裝數量: 1000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 4.4 mm
單位重量: 2 g

IRF3205PBF說明

IRF3205PBF的高級HEXFET®功率MOSFET利用先進的處理技術來實現每硅面積的極低導通電阻。IRF3205PBF優勢與HEXFET功率MOSFET眾所周知的快速開關速度和堅固耐用的器件設計相結合，為設計人員提供了一種極其有效和可靠的器件，IRF3205PBF可廣泛用于各種應用中。

IRF3205PBF的TO-220封裝普遍適用于所有功耗約為50瓦的商業工業應用。TO-220的低熱阻和低封裝成本有助于其在整個行業中的廣泛接受。

IRF3205PBF特性

先進的工藝技術

超低導通電阻

動態dv / dt額定值

175°C工作溫度

快速切換

完全雪崩等級

無鉛

IRF3205PBF
IRF3205ZPBF
IRF3205STRLPBF
IRF3415PBF
IRF3710STRLPBF
IRF3710PBF
IRF4905STRLPBF
IRF5210PBF
IRF5210STRLPBF
IRF5305PBF
IRF5305STRLPBF
IRF5802TRPBF
IRF5803TRPBF
IRF6216TRPBF
IRF7105TRPBF
IRF7205TRPBF
IRF7241TRPBF
IRF7303TRPBF
IRF7313TRPBF
IRF7324TRPBF
IRF7329TRPBF
IRF7342TRPBF
IRF7343TRPBF
IRF7351TRPBF
IRF7380TRPBF
IRF7389TRPBF
IRF7404TRPBF
IRF7410TRPBF
IRF7413TRPBF
IRF7413ZTRPBF
IRF7416TRPBF
IRF7424TRPBF
IRF7451TRPBF
IRF7456TRPBF
IRF7470TRPBF
IRF7509TRPBF
IRF7831TRPBF
IRF7832TRPBF
IRF7842TRPBF
IRF7855TRPBF
IRF8707TRPBF
IRF8736TRPBF
IRF9310TRPBF
IRF9317TRPBF
IRF9530NPBF
IRF9530NSTRLPBF
IRF9540NSTRLPBF
IRF9540NSTRRPBF