制造商
GeneSiC Semiconductor
系列
G3R™
產品狀態
在售
FET 類型
N 通道
技術
SiCFET（碳化硅）
漏源電壓（Vdss）
1200 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)
128A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
15V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
24 毫歐 @ 60A，15V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
2.69V @ 15mA
不同 Vgs 時柵極電荷(Qg)（最大值）
219 nC @ 15 V
Vgs（最大值）
±15V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
5873 pF @ 800 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
542W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-247-4
封裝/外殼
TO-247-4
基本產品編號
G3R20
