參數名稱 參數值
Source Content uid FDN302P
Brand Name onsemi
是否無鉛 不含鉛
生命周期 Active
Objectid 4001116268
包裝說明 SUPERSOT-3
制造商包裝代碼 527AG
Reach Compliance Code compliant
Country Of Origin Philippines
ECCN代碼 EAR99
Factory Lead Time 77 weeks
風險等級 0.7
Samacsys Description MOSFET P-Channel 20V 2.4A SuperSOT3 Fairchild FDN302P P-channel MOSFET Transistor, 2.4 A, 20 V, 3-Pin SOT-23
Samacsys Manufacturer onsemi
Samacsys Modified On 2023-03-07 16:10:32
YTEOL 7
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 20 V
最大漏極電流 (ID) 2.4 A
最大漏源導通電阻 0.055 Ω
FET 技術 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代碼 R-PDSO-G3
JESD-609代碼 e3
濕度敏感等級 1
元件數量 1
端子數量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度 150 °C
最低工作溫度 -55 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度） NOT SPECIFIED
極性/信道類型 P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 0.5 W
認證狀態 Not Qualified
表面貼裝 YES
端子面層 Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時間 NOT SPECIFIED
晶體管應用 SWITCHING
晶體管元件材料 SILICON
參數規格與技術文檔 全部數據手冊技術文檔 全部 全部 數據手冊 技術文檔 下載: FDN302P onsemi 下載: FDN302P onsemi 相關器件 FDN302P