制造商: GaN Systems
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: GaN-on-Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: GaNpx
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V
Id-連續漏極電流: 30 A
Rds On-漏源導通電阻: 63 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 10 V, + 7 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.1 V
Qg-柵極電荷: 6.1 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: -
通道模式: Enhancement
商標名: GaNPX
系列: GS665xx
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: GaN Systems
配置: Single
開發套件: GS665MB-EVB, GS-EVB-HB-66508B-ON1, GSP665x-EVBIMS2, GS1200BTP-EVB, GSWP300W-EVBPA, GS66508B-EVBDB1
下降時間: 5.2 ns
濕度敏感性: Yes
產品類型: MOSFET
上升時間: 3.7 ns
250
子類別: MOSFETs
晶體管類型: E-HEMT Power Transistor
典型關閉延遲時間: 8 ns
典型接通延遲時間: 4.1 ns
零件號別名: GS66508B-E01-MR
