CSD18543Q3A采用3mm x 3mm SON封裝的單路、9.9mΩ、60V、N溝道NexFET™功率 MOSFET

型號：CSD18543Q3A

廠商：TI德州儀器

封裝：VSON8

包裝：2500PCS/盤

批次：新批次

類型：MOS

描述：采用3mm x 3mm SON封裝的單路、9.9mΩ、60V、N溝道NexFET™功率 MOSFET

絲印（打字）：18543

備注：TI德州儀器原廠原裝

替代：

相關型號：

產品屬性 屬性值
制造商: Texas Instruments
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: VSONP-8
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續漏極電流: 12 A
Rds On-漏源導通電阻: 12 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.5 V
Qg-柵極電荷: 11.1 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 66 W
通道模式: Enhancement
商標名: NexFET
系列: CSD18543Q3A
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: Texas Instruments
配置: Single
下降時間: 4 ns
正向跨導 - 最小值: 40 S
高度: 0.9 mm
長度: 3.15 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 18 ns
工廠包裝數量: 2500
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 8 ns
典型接通延遲時間: 9 ns
寬度: 3 mm
單位重量: 27.700 mg

CSD18543Q3A特性

超低 Qg和 Qgd

低導通電阻 RDS(on)

低熱阻

雪崩額定值

無鉛

符合 RoHS 環保標準

無鹵素

小外形尺寸無引線 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封裝

CSD18543Q3A應用范圍

固態繼電器開關

直流 - 直流轉換

次級側同步整流器

經隔離轉換器主級側開關

電機控制

CSD18543Q3A說明

CSD18543Q3A采用 3.3mm × 3.3mm SON 封裝的 60V、8.1mΩ、 NexFET功率 MOSFET 被設計成在功率轉換應用中大大降低 損耗。

CSD18543Q3A
SN74LVC4245ADBR
OP07CP
SN74AHCT245PWR
ISO7221ADR
SN74HC573ADWR
LM27762DSSR
SN74LVC1G00DCKR
SN74LVC1G17DCKR
DRV8701ERGET/DRV8701ERGER
LM2776DBVR
LM2596SX-5.0/NOPB
INA199A1DCKR
ADS1110A0IDBVR
LM8261M5X/NOPB
PGA281AIPWR
UCC27211DDAR
DAC8552IDGKR
CD4011BE
SN74HC04PWR
CD4013BM96
DRV8833CPWPR
CD74HC4067M96
LM311P
TLV75718PDBVR
SN74AHCT541PWR
CD4013BE
OPA2188AIDR
OPA350UA/2K5
LSF0204PWR
SN74HC244NSR
TL084CN
OPA189IDR
LM2901PWR
LM321MFX/NOPB
SA555DR
SN74LVC1G3157DCKR
TLV70233DBVR
SN74LVC1G123DCTR
TLV70218DBVR
SN74HC164DR
CD74HC4052M96
SN74HC138PWR
TLV62569DBVR
TLV3501AQDBVRQ1
INA181A1IDBVR
CD74HC4052PWR
TS5A3160DBVR
SN74ACT244PWR
TLC2274IDR
SN74HCT245DWR
TL062CDR
SN74LVC1G86DCKR
SN74AHC1G32DBVR
INA139NA/3K
LMC7660IMX/NOPB
MAX3232EIDR
TLV70033DDCR
ULN2003AN
TLC272CDR
LM339PWR
CD4053BPWR
CD4051BE
SN74HCT08DR
SN74LVC1G04DCKR
LM321LVIDBVR