CSD16301Q2 TI德州儀器采用2mm x 2mm SON封裝的單路、29mΩ、25V、N溝道 NexFET™ 功率MOSFET
廠商:TI德州儀器
封裝:WSON6
包裝:3000PCS/包
批次:新批次
類型:MOS
描述:采用2mm x 2mm SON封裝的單路、29mΩ、25V、N溝道 NexFET™ 功率MOSFET
絲印(打字):1631
備注:TI德州儀器原廠原裝
替代:
相關型號:
制造商: Texas Instruments
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: WSON-6
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 25 V
Id-連續漏極電流: 5 A
Rds On-漏源導通電阻: 24 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 8 V, + 8 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 900 mV
Qg-柵極電荷: 2 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 15 W
通道模式: Enhancement
商標名: NexFET
系列: CSD16301Q2
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
商標: Texas Instruments
配置: Single
下降時間: 1.7 ns
高度: 0.75 mm
長度: 2 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 4.4 ns
工廠包裝數量: 3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel Power MOSFET
典型關閉延遲時間: 4.1 ns
典型接通延遲時間: 2.7 ns
寬度: 2 mm
單位重量: 8.700 mg
超低的Qg和Qgd
低熱阻
無鉛端子鍍層
符合RoHS標準
無鹵素
SON 2-mm × 2-mm塑料封裝
應用
直流-直流轉換器
電池和負載管理應用
- 直流-直流轉換器
- 電池和負載管理應用
CSD16301Q2這款25-V、19-mΩ、2-mm × 2-mm SON NexFET™功率MOSFET被設計用于最大限度地減少電源轉換和負載管理應用中的損耗。2-mm × 2-mm SON封裝為該封裝的尺寸提供了出色的熱性能。
LP2985-50DBVR
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NE5532ADR
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REF3333AIDBZR
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LM2901DR
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LM393ADR
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CD4011BM96
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SN74LVC2T45DCTR
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TL331IDBVR
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SN74LVC1G175DBVR
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UA741CP
LM293DR
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SN65HVD233DR
SN74LVC2G14DCKR
MAX3232IPWR
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LM324ADR
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TXS0104ERGYR
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TL431AQDBZRQ1
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SN74HCT245PWR
TMP236A4DCKR
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SN74HC86DR
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CD4017BE
LM358MX/NOPB
ULN2003LVDR
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SN74HC138DR
ADS1256IDBR
LM2902DR
CSD18543Q3A
SN74LVC4245ADBR
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SN74AHCT245PWR
ISO7221ADR
SN74HC573ADWR
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LM2596SX-5.0/NOPB
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DAC8552IDGKR
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CD74HC4052M96
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TLV62569DBVR
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ULN2003AN
TLC272CDR
LM339PWR
CD4053BPWR
CD4051BE
SN74HCT08DR
SN74LVC1G04DCKR
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LM3478MAX/NOPB
AM26LV32CDR
CD4052BPWR
CD4093BM96
TLV2374IDR
PCA9306DCTR
LP5907MFX-2.5/NOPB
SN74LVC1G14DCKR
SN74HCT14DR
TLV3502AIDR
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TPD2EUSB30ADRTR
CD40106BE
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TCA6424ARGJR
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CD74HC4051M96
UA78L05ACPK
LM3150MHX/NOPB
TLV272IDR
DRV8833PWPR
TPS73701DRBR
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AM3352BZCZ60
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CDCV304PWR
CSD13202Q2
CSD13380F3
CSD13381F4
CSD16301Q2