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FDB33N25TM

發布時間:2023/10/5 9:55:00 訪問次數:91 發布企業:深圳和潤天下電子科技有限公司

產品屬性 屬性值 選擇屬性
制造商: onsemi
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: D2PAK-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 250 V
Id-連續漏極電流: 33 A
Rds On-漏源導通電阻: 94 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 48 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 235 W
通道模式: Enhancement
系列: FDB33N25
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: onsemi / Fairchild
配置: Single
下降時間: 120 ns
高度: 4.83 mm
長度: 10.67 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 230 ns
800
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 75 ns
典型接通延遲時間: 35 ns
寬度: 9.65 mm

單位重量: 4 g



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