制造商: onsemi
產品種類: MOSFET
RoHS: N
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: P-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續漏極電流: 30 A
Rds On-漏源導通電阻: 65 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 135 W
通道模式: Enhancement
商標: onsemi / Fairchild
配置: Single
下降時間: 18 ns
高度: 16.3 mm
長度: 10.67 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 23 ns
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 P-Channel
典型關閉延遲時間: 28 ns
典型接通延遲時間: 15 ns
寬度: 4.7 mm
單位重量: 2 g
