MMIX1T600N04T2制造商: IXYS
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SMPD-24
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V
Id-連續漏極電流: 600 A
Rds On-漏源導通電阻: 1.3 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.5 V
Qg-柵極電荷: 590 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 830 W
通道模式: Enhancement
商標名: HiPerFET
系列: MMIX1T600N04
封裝: Tube
商標: IXYS
配置: Single
產品類型: MOSFET
工廠包裝數量: 20
子類別: MOSFETs
單位重量: 8 g