7MBR15SA120 富士變頻器IGBT智能模塊

廠家：富士

型號：7MBR15SA120

15A 1200V

IGBT管是絕緣柵雙極型晶體管（Isolated Gate Bipolar Transistor）的簡稱，它是80年代初誕生，90年代迅速發展起來的新型復合電力電子器件IGBT管是由MOSFET場效應晶體管和BJT雙極型晶體管復合而成的，其輸入級為MOSFET,輸出級為PNP型大功率三極管，它融和了這兩種器件的優點，既具有MOSFET器件輸入阻抗高 響應速度快 熱穩定性好和驅動電路簡單的優點，又具有雙極型器件通態電壓低 耐壓高和輸出電流大的優點，其頻率特性介于MOS-FET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內，在現代電力電子技術中得到了越來越廣泛的應用，在較高頻率的大、中功率應用中占據了主導地位IGBT管的開通和關斷是由柵極電壓來控制IGBT管的。當柵極加正電壓時，OSFET內形成溝道，并為PNP晶體管提供基極電流，從而使IGBT管導通，此時高耐壓的IGBT管也具有低的通態壓降 在柵極上加負電壓時，MOSFET內的溝道消失，PNP晶體管的基極電流被切斷，IGBT管即關斷 IGBT管與MOSFET一樣也是電壓控制型器件，在它的柵極發射極間施加十幾伏的直流電壓，只有微安級的漏電流，基本上不消耗功率，顯示了輸入阻抗大的優點。

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