制造商: onsemi
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: SiC
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TDFN-4
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V
Id-連續漏極電流: 55 A
Rds On-漏源導通電阻: 50 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 8 V, + 22 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4.3 V
Qg-柵極電荷: 105 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 187 W
通道模式: Enhancement
系列: NTMT045N065SC1
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
商標: onsemi