產品類型: MOSFET
CSD83325L 放大圖片" />
技術:
Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: PICOSTAR-6
晶體管極性: N-Channel
通道數: 2 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 12 V
Id - C連續漏極電流: 8 A
Rds On - 漏-源電阻: 11.9 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 10 V, + 10 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 750 mV
Qg - 閘極充電: 10.9 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 2.3 W
通道模式: Enhancement
公司名稱: NexFET
系列: CSD83325L
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
品牌: Texas Instruments
配置: Dual
下降時間: 589 ns
互導 - 最小值: 36 S
高度: 0.2 mm
長度: 2.2 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 353 ns
