製造商: Toshiba
產品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
晶體管極性: N-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 600 V
Id - C連續漏極電流: 40 A
Rds On - 漏-源電阻: 55 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 4 V
Qg - 閘極充電: 65 nC
Pd - 功率消耗 : 270 W
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
品牌: Toshiba
下降時間: 5 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 25 ns
原廠包裝數量: 2000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 132 ns
標準開啟延遲時間: 59 ns