制造商:
Infineon
產品種類:
IGBT 模塊
RoHS:
詳細信息
產品:
IGBT Silicon Modules
配置:
Dual
集電極—發射極最大電壓 VCEO:
1.2 kV
集電極—射極飽和電壓:
1.75 V
在25 C的連續集電極電流:
450 A
柵極—射極漏泄電流:
400 nA
Pd-功率耗散:
1.6 kW
封裝 / 箱體:
62 mm
最小工作溫度:
- 40 C
最大工作溫度:
+ 150 C
封裝:
Tray
商標:
Infineon Technologies
柵極/發射極最大電壓:
20 V
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