標準包裝:50
類別:分離式半導體產品
家庭:FET - 單 IRFB3607PBF
系列:HEXFET®
FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點:標準型
漏極至源極電壓(Vdss):75V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:80A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:9 毫歐 @ 46A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 100μA
閘電荷(Qg) @ Vgs:84nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds:3070pF @ 50V
功率 - 最大:140W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3
供應商設備封裝:TO-220AB
包裝:管件
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