FMH28N50E 富士功率NMOS

FMH28N50E 是一款由FUJI（富士）生產的功率MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）芯片。
以下是關于 FMH28N50E 的一些主要特性和規格：
特性：
高功率：FMH28N50E 是一款高功率功率MOSFET，適用于需要處理大電流和高功率的應用。
低導通電阻：該芯片具有低導通電阻，可以有效地降低功率損耗和提高效率。
高開關速度：FMH28N50E 具有快速的開關速度，適用于要求快速響應和高頻率操作的應用。
高耐壓：該芯片具有高耐壓特性，通常適用于高電壓應用。
TO-247 封裝：FMH28N50E 采用 TO-247 封裝，有利于散熱和安裝到散熱器上。

規格：
額定電壓：FMH28N50E 的額定電壓一般為 500V，可以處理高電壓應用。
額定電流：該芯片的額定電流一般為 28A，適用于處理高電流負載。
導通電阻：FMH28N50E 的導通電阻一般較低，可以減少功耗和提高效率。
開關電容：該芯片的開關電容相對較小，有助于提高開關速度和降低開關損耗。
具有保護功能：FMH28N50E 可能具有過溫度保護和過電流保護等內置保護功能，有助于提高系統的可靠性和安全性。

應用：
FMH28N50E 可用于各種功率電子應用，包括但不限于：
電源系統：如開關電源、逆變器和電源適配器等。
電機驅動：用于驅動電機和控制電機運動的應用，如電動工具、電動車輛等。
工業控制：用于工業自動化和控制系統中的功率開關應用。
照明應用：如 LED 照明驅動器、高亮度照明燈具等。