IGBT驅動板2SD315AI-33 瑞士CONCEPT 原裝

　　電晶體結構發展趨勢是越來越小，保證高效便宜的半導體晶片被研發。但是隨著電晶體在空間上的線性微縮逐漸達到極限，各種問題和挑戰也就顯現出來，尤其是通道閘極控制效果降低、漏電流增加、短通道效應出現等問題。這些問題會帶來嚴重的后果，如電晶體不當關閉、電子裝置待機耗電量增加等。這對于目前的半導體產業和電子產業來說，無疑是無法滿足需求的。

　　而鰭式電晶體（FinFET）技術正是在這樣的狀況下應運而生，能夠通過三層閘極來有效壓制關閉狀態漏電流，解決上述問題。FinFET技術能夠通過驅動電流轉化為低功耗和高效能，而且晶粒尺寸也被縮小。FinFET技術對移動設備的來說也變得日益重要。自2011年英特爾推出商業化的22納米節點工藝的FinFET,目前FinFET已經在向20納米節點和14納米節點推進發展，并帶動整個半導體制造技術與產業的發展。

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