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TK160F10N1L,LXGQ

發布時間:2023/11/7 15:53:00 訪問次數:74

制造商: Toshiba
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-220SM-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續漏極電流: 160 A
Rds On-漏源導通電阻: 2.4 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3.5 V
Qg-柵極電荷: 122 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C

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