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STGWA75H65DFB2

發布時間:2023/11/9 17:30:00 訪問次數:66

制造商: STMicroelectronics
產品種類: IGBT 晶體管
RoHS: 詳細信息
封裝 / 箱體: TO-247-3
安裝風格: Through Hole
配置: Single
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 650 V
集電極—射極飽和電壓: 1.55 V
柵極/發射極最大電壓: - 20 V, 20 V
在25 C的連續集電極電流: 115 A
Pd-功率耗散: 375 W
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C

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